圣邦微电子推出30V单N沟道功率MOSFET SGMNQ36430

发布时间：2026-07-10 19:07:43 来源：上海信亚展览有限公司 作者：综合

圣邦微电子推出 SGMNQ36430，圣邦一款 30V 单 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。微电该器件可应用于 CPU电源传输、推出DC/DC转换器、单道功功率负载开关以及笔记本电池管理等领域。圣邦

SGMNQ36430 的微电主要特性包括低导通电阻和低栅极电荷。在 VGS= 10V 时，推出其导通电阻典型值为 2.9mΩ，单道功最大值为 3.6mΩ，圣邦能够有效减少功率损耗。微电同时，推出总栅极电荷仅为 22.7nC（VGS= 10V），单道功有助于降低开关过程中的圣邦能量损失。此外，微电其封装尺寸为 3.3×3.3mm²，推出较为紧凑，适合在有限的 PCB空间内使用。产品符合 RoHS 标准且无卤素，满足环保要求。

在性能参数方面，SGMNQ36430 的最大漏源电压为 30V，最大漏极电流在外壳温度 25℃ 时可达 75A，在 100℃ 时为 47A。脉冲漏极电流最高为 160A，适用于短时高电流脉冲场景。其雪崩电流为 38A，雪崩能量为 72.2mJ，能够在一定程度上承受反向恢复过程中的能量冲击。SGMNQ36430 采用符合环保理念的 PDFN-3.3×3.3-8L 绿色封装，工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃，存储温度范围相同，适应多种工作环境。

电气特性方面，器件的漏源击穿电压不低于 30V，零栅极电压时漏极电流小于等于 1µA，栅极漏电流在 ±20V 的 VGS下小于等于 100nA。栅极阈值电压在 1.2V 至 2.2V 之间，确保稳定的开关控制。动态特性上，输入电容为 1028pF，输出电容为 876pF，反向转移电容为 57pF，这些参数决定了其在高频开关应用中的性能表现。

图 1 SGMNQ36430 等效电路

关于圣邦微电子

圣邦微电子（北京）股份有限公司（股票代码 300661）是一家综合性的高性能和高可靠性模拟及混合信号处理和系统电源管理集成电路供应商，拥有 34 大类 5900 余款可供销售产品，为工业自动化、新能源、汽车、通信、计算机、医疗设备和消费类电子等应用提供各类模拟信号调理和电源创新解决方案。

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