共模半导体发布GM13011：

发布时间：2026-07-10 19:05:10 来源：上海信亚展览有限公司 作者：综合

近日，共模国产模拟电源厂商共模半导体正式发布全新负压LDO产品—— GM13011。半导布这是共模一颗支持-40V宽压输入、1.5A大电流输出的半导布微功率低压差线性稳压器，在满载工况下仍能保持60µVRMS的共模超低输出噪声和仅350mV的低压差，同时采用热阻低至14°C/W的半导布TO-263封装，专为工业仪器、共模医疗设备、半导布通信系统等对电源噪声和散热要求极为苛刻的共模应用场景而设计。

在电源管理芯片领域，半导布正压LDO已经非常成熟，共模但负压LDO一直是半导布个"硬骨头"。原因在于，共模负压系统的半导布应用场景通常对电压范围、输出电流和噪声控制都有极高要求，共模而这三者之间往往相互矛盾。

比如，要做大电流输出，芯片的功耗就会升高，发热就会加剧，散热就成了大问题。要做低噪声，就需要在电路设计上做大量优化，但这又可能牺牲带载能力。要做宽电压输入，芯片内部的耐压结构就要重新设计，成本和复杂度都会上升。

正是因为这些技术难点，长期以来高性能负压LDO市场基本被ADI、TI等国际大厂垄断。共模半导体GM13011的推出，正是要打破这一局面。

先看输入电压范围。GM13011支持 -1.8V至-40V的宽压输入，可以直接从-24V工业负压总线取电，无需额外增加前级降压电路。这在工业控制、高压通信、测试测量等场景中非常实用，能大幅简化系统设计。

再看输出能力。GM13011在 1.5A满载条件下仍能稳定工作，压差仅350mV。这意味着即使在高压差、大电流的极端工况下，芯片也不会因为压降过大而失效，同时350mV的低压差也意味着更低的功耗和更少的发热。

噪声表现是这颗芯片的另一大亮点。在10Hz至100kHz的带宽内，GM13011的输出噪声仅为 60µVRMS。这是什么概念？对于频谱分析仪、锁相放大器、高精度ADC/DAC等对电源噪声极度敏感的设备来说，这个噪声水平已经足够低，可以直接为模拟前端供电，无需额外增加滤波电路。

此外，GM13011的静态电流仅为 1.8mA，关断电流低至 3µA，在电池供电或低功耗待机场景中优势明显。电源抑制比（PSRR）达到 72dB@120Hz，能有效滤除前级电源的波动和纹波，为后端负载提供纯净的负压电源。

做过电源设计的工程师都知道，高压差加大电流，最怕的就是发热。GM13011在这方面下了大功夫。

芯片提供TO-263和DFN两种封装可选。其中TO-263封装的热阻低至 14°C/W，在同类产品中属于顶尖水平。以一个典型工况为例：-15V输入、-12V输出、1A负载，压差3V，功耗3W。在14°C/W的热阻下，芯片温升仅约42°C，完全在安全范围内。即便是在密封机箱、无风扇工业设备等散热条件恶劣的环境中，也能长期稳定运行。

相比之下，同类竞品的TO-263热阻通常在20°C/W以上，GM13011在散热性能上的优势非常明显。

GM13011提供 -2.5V、-5V、-12V三种固定输出电压，同时也支持可调模式，通过外部电阻分压器可将输出设置在-1.22V至-40V之间的任意值。一颗芯片就能覆盖从低压逻辑供电到高压负压总线的多样化需求，大幅降低客户的选型和BOM成本。

芯片还内置了限流保护（典型值2A）和过温保护（165°C关断，15°C迟滞），最小仅需10µF陶瓷输出电容即可稳定工作，无需额外增加ESR电容，进一步简化了PCB设计。工作温度范围覆盖 -55°C至+125°C，满足工业级乃至汽车级应用的严苛环境要求。

GM13011的发布，让共模半导体的负压LDO产品线更加完整。从早期的中低压轻负载产品，到如今覆盖-40V输入、1.5A输出、14°C/W热阻的高性能方案，共模半导体正在用产品实力证明：国产模拟电源，已经有能力在高压、大电流、低噪声这些最难啃的赛道上，与国际大厂正面竞争。

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